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Product classificationICP-OES分析儀器 ICP-OES分析機器設備光柵規格:離子刻蝕全息光柵;刻線密度3600線/mm, 刻線面積:80×110mm (可選用刻線密度2400線/mm, 刻線面積:80×110mm)。 化驗分析ICP-OES儀器設備數據采集是通過串口與電腦連接,從而簡化了電路使連接更加便捷
ICP-OES分析儀 電感耦合等離子體發射光譜ICP-OES機器設備測試30多種元素,主要有Fe、Na、Mg、Ni、V、 Ca、Pb、Mo、Mn、Cr、Co、、As等。 電感耦合等離子體發射光譜ICP儀器設備波長示值誤差和重復性:波長示值誤差:± 0.03nm 重復性= 0.005nm
ICP-OES檢測儀器 ICP-OES檢測機器設備可分析對金屬材料質量影響很大的As、Bi、Pb、Sb、Sn等雜質元素。 測定測量ICP-OES儀器設備可以對醫療、衛生、農業環保、商品、食品質量等檢測 。
ICP-OES檢測儀 ICP-OES光譜檢測機器設備可真正替代順序型ICP和原子吸收光譜儀的分析儀器,可以使毫無ICP使用經驗的人員充分享受該儀器所帶來的便利,以強大的功能、極低的運行成本完成測試工作。 光譜ICP-OES檢測機器設備性能ICP光譜儀分析速度快,準確度,使用成本低,可以應用油品中污染物分析。
ICP電感耦合等離子體原子發射光譜儀廣泛應用于環境保護、食品安全、地質礦產、冶金、有色金屬、稀土、化工、臨床醫藥、石油制品、半導體、農業研究等各個領域。